举一反三
- 求[tex=2.214x1.286]WQ0apDRAtkI8jwXnWuMd8w==[/tex]和[tex=2.214x1.286]clNs18SnJ6ZahsZWf23Png==[/tex]所决定的晶带轴所构成的晶面的晶面指数。
- 面心立方晶体中，在[tex=2.214x1.286]clNs18SnJ6ZahsZWf23Png==[/tex]面上的单位位错[tex=4.429x1.786]cl0UqY/crjYDEmvtAbNSLzm43iFdyAMTJRCxHOwxuAFdwl9u9X7f34Xym3v6Rfhe[/tex]在[tex=2.214x1.286]clNs18SnJ6ZahsZWf23Png==[/tex]面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出[tex=13.643x2.357]7EJgWCeXyvq2tu8GbIEjo1hfzEigk4vL8iGNVKtn/4LmWxMcA3YsBe7HRXNMiPgPEcMOSPYDCexc20LiYbdMejEyMpY6i45vv04H80Oqz1pA510yFclLBSy8zO26a53E[/tex]
- 短时记忆的容量十分有限，一般为 未知类型：{'options': ['[tex=2.214x1.286]nVGhm3gMVQJ6sEK7KXH1IA==[/tex]', '[tex=2.214x1.286]GSlttVXd2j3meXt9/CiFmA==[/tex]', '[tex=2.214x1.286]4iDLYHsnp0rUacgURZslkw==[/tex]', '[tex=2.214x1.286]5HCcVftljGtunKRb0B8JNA==[/tex]'], 'type': 102}
- 用[tex=2.214x1.286]coNwv2qnzXeMtIItli6H5g==[/tex]的网格计算应力,题[tex=2.214x1.286]jSxWig/CMP8Mw9jWBrMn8w==[/tex]图所示。[img=226x232]17cf0a725cdcf49.png[/img]
- [tex=2.214x1.286]iLZ8dFzDhyDszs4Q6Iairw==[/tex]是磷酸果糖激酶1的底物，为什么[tex=2.214x1.286]iLZ8dFzDhyDszs4Q6Iairw==[/tex]浓度高，反而会抑制[tex=7.571x1.286]fc/EYut3ouIPaN0zfSnCDAyJDoR5oPSoJyya5sZB1rI=[/tex]1活性?
内容
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就编程原理而言，[tex=3.071x1.286]W+alAzhVP6b3pfL3OldaJg==[/tex]与[tex=2.214x1.286]nZziHLOouw+goNUuZSr7gw==[/tex]和[tex=2.214x1.286]LgvvL/fehNSq2WOx3X5nZQ==[/tex]有什么不同。
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概念与名词解释[tex=2.214x1.286]+w6bCyVdDLzNFU4jGCEEig==[/tex]
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什么是[tex=2.214x1.286]EA60CMyLVqTN+358eUwbyw==[/tex]终端?描述一个[tex=2.214x1.286]EA60CMyLVqTN+358eUwbyw==[/tex]终端的处理能力。
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一线圈（其等效参数为[tex=0.786x1.286]yokTf2U2Z7kNGUXMm22GjQ==[/tex]、[tex=0.714x1.286]LA74ioWWkXdGbHCtFk/Sog==[/tex]）与电容串联，接于[tex=2.214x1.286]Awwo01kv9AyHFiJdL6Wp6w==[/tex]的电压源上，电路发生电压谐振，测得电容两端电压为[tex=2.214x1.286]Awwo01kv9AyHFiJdL6Wp6w==[/tex]，则线圈两端电压为 未知类型：{'options': ['[tex=2.214x1.286]Awwo01kv9AyHFiJdL6Wp6w==[/tex]', '[tex=3.5x1.286]iQzCuqOosI8gTGQLkQxaMBBT5KABG4VvmRDRJhlDaT0=[/tex]', '[tex=2.214x1.286]/a9+LyiECnX8VTA+0XKHFA==[/tex]'], 'type': 102}
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分析[tex=3.357x1.286]5j7eRYA629+uig0u67QDwg==[/tex]与[tex=2.214x1.286]Uj1pIfmmRXRtwF4hrcSAHw==[/tex]的异同。