关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 离子注入损伤包括因联级碰撞而出现的简单晶格损伤和的形成 离子注入损伤包括因联级碰撞而出现的简单晶格损伤和的形成 答案： 查看 举一反三 离子注入的晶格损伤 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应 因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为 。 A: 晶格损伤 B: 晶格缺陷 C: 晶胞损伤 D: 晶胞缺陷 中国大学MOOC: 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。 A: 正确 B: 错误
