用HNA溶液进行硅的各向同性湿法刻蚀时，哪些材料适合作为刻蚀掩膜？
A: 金
B: 铝
C: 氮化硅
D: 正光刻胶
A: 金
B: 铝
C: 氮化硅
D: 正光刻胶
举一反三
- 用KOH进行各向异性湿法刻蚀时，硅的不同晶向在溶液中的刻蚀速率不同，刻蚀速率比约为：[110]：[100]：[111]=______ ：______ ：1。
- 以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。 A: 湿法刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 反应离子刻蚀
- 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。 A: 刻蚀速率 B: 选择性 C: 各向同性 D: 各向异性
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅
- 在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。 A: 显影 B: 光刻 C: 涂胶 D: 抛光