一个NMOS管的源端接地，栅电压为1.8V，漏端电压为0.2V，衬底接地，已知其阈值电压等于0.3V，则此MOS管的工作区是（）
A: 截止区
B: 饱和区
C: 速度饱和区
D: 线性（电阻）区
A: 截止区
B: 饱和区
C: 速度饱和区
D: 线性（电阻）区
举一反三
- 增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。 A: 非饱和区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 线性区
- 在如图所示的MOS管恒流源电路中，MOS管应该工作在（ ），且栅源电压保持不变。[img=324x275]1803c5aca50a9c4.png[/img] A: 饱和区（恒流源） B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 饱和区或可变电阻区都可以
- 测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1V,则该管工作在( ) A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1.5V,则该管工作在( )。 A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。 A: 饱和区 B: 预夹断临界点 C: 可变电阻区 D: 截止区