衬底的掺杂浓度越大,MOS管的阈值电压()。
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 不确定
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 不确定
A
举一反三
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小
- 衬底掺杂浓度越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需的电压VGS越小，即MOS管的阈值电压值越小。
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 中国大学MOOC: 衬底掺杂浓度的大小会影响到MOS管阈值电压的大小
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压
内容
- 0
对一定的材料，掺杂浓度NA越大，耗尽层宽度xdm（ ）。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 随掺杂浓度线性增加
- 1
以N沟道增强型MOSFET为例，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越小。
- 2
蓄电池放电电流越大，终止电压（）。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 不确定
- 3
半导体的掺杂浓度越高，半导体的电导率 ，半导体的电阻率 A: 越大，越小 B: 越大，越大 C: 越小，越大 D: 越小，越小
- 4
当缓冲溶液的浓度比为1：1时，总浓度越大，缓冲容量（）。 A: 越小 B: 越大 C: 不变 D: 不确定