N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。
A: vGS 大于VTN ,并且vDSB: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN
C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN
D: vGS 小于VTN ,并且vDS
A: vGS 大于VTN ,并且vDS
C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN
D: vGS 小于VTN ,并且vDS
举一反三
- P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS
- N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？ A: VGS>VGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th)，VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th)，VDSVGS-VGS(th)
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- 增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。 A: 非饱和区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 线性区