为什么晶体三极管发射区要高掺杂,基区薄且低掺杂,集电结面积大且集电区低掺杂呢?{
举一反三
- BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
- 三极管具有电流放大作用的内部条件是发射区高掺杂，基区低掺杂且薄，集电结截面积大。
- 三极管放大的内部条件是：发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低集电结面积大；外部条件是 和 。
- 三极管有三个区：发射区、基区和集电区，其中发射区应满足掺杂浓度低而且要薄
- 三极管正常工作的内部条件，以下叙述不正确的是：（ ） A: 基区很薄 B: 基区掺杂浓度低 C: 发射区和集电区掺杂同类型杂质，且集电区杂质浓度高 D: 集电区的面积比发射区面积大