三极管的三个区分别是（） A: 基区、集电区、发射区 B: 基区、集电区、发射极 C: 发射区、集电区、基极 D: 集电区、基区、发射结
三极管的三个区分别是（） A: 基区、集电区、发射区 B: 基区、集电区、发射极 C: 发射区、集电区、基极 D: 集电区、基区、发射结
BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
缓变基区晶体管中自建电场的方向是(),该电场的存在会()少子扩散 A: 由集电区指向发射区;阻碍 B: 由集电区指向发射区;加速 C: 由发射区指向集电区;加速 D: 由发射区指向集电区;阻碍
缓变基区晶体管中自建电场的方向是(),该电场的存在会()少子扩散 A: 由集电区指向发射区;阻碍 B: 由集电区指向发射区;加速 C: 由发射区指向集电区;加速 D: 由发射区指向集电区;阻碍
三极管的集电区和发射区半导体类型相同，所以集电区和发射区颠倒使用，放大能力不变
三极管的集电区和发射区半导体类型相同，所以集电区和发射区颠倒使用，放大能力不变
三极管集电区掺杂浓度最高
三极管集电区掺杂浓度最高
下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度： A: 减小集电区的掺杂浓度 B: 在集电区引入产生-复合中心 C: 减小集电区宽度 D: 减小基区宽度
下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度： A: 减小集电区的掺杂浓度 B: 在集电区引入产生-复合中心 C: 减小集电区宽度 D: 减小基区宽度
电力晶体管分为基区、集电区和____。
电力晶体管分为基区、集电区和____。
中国大学MOOC: 晶体管的发射区和集电区是同种类型的杂质半导体，所以发射区和集电区交换使用。
中国大学MOOC: 晶体管的发射区和集电区是同种类型的杂质半导体，所以发射区和集电区交换使用。
晶体管的发射区和集电区是同种类型的杂质半导体，所以发射区和集电区交换使用。 A: 正确 B: 错误
晶体管的发射区和集电区是同种类型的杂质半导体，所以发射区和集电区交换使用。 A: 正确 B: 错误
三极管输出特性曲线有（ ）工作区域？A. 发射区 B. 集电区C. 基区 D.其它 A: 发射区 B: 集电区 C: 基区 D: 其它
三极管输出特性曲线有（ ）工作区域？A. 发射区 B. 集电区C. 基区 D.其它 A: 发射区 B: 集电区 C: 基区 D: 其它