半导体P-N结的扩散，正确的描述是：（ ）
A: N区的电子向P区扩散
B: N区的空穴向P区扩散
C: P区的电子向N区扩散
D: P区的空穴向N区扩散
A: N区的电子向P区扩散
B: N区的空穴向P区扩散
C: P区的电子向N区扩散
D: P区的空穴向N区扩散
A,D
举一反三
- 平衡PN结形成的过程中，P区 向N区扩散，电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴，P B: 空穴，N C: 电子，P D: 电子，N
- 平衡PN结形成过程中 A: N区的电势比P区高 B: N区的电势能比P区高 C: N区的空穴向P区扩散 D: N区的电子向P区漂移
- 平衡PN结形成的过程中（） A: P区电子向N区扩散，N区空穴向P区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: 平衡PN结空间电荷区的形成时载流子扩散与漂移运动都消失了
- 在P-N结的内静电场作用下，N区的空穴向P区运动，而P区的电子向N区运动。（ ）
- 简述光生伏特效应中正确的是（） A: 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结； B: p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子； C: 平衡载流子破坏原来的热平衡； D: 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
内容
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平衡PN结形成的过程中 A: P区电子向N区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: P区侧存在正空间电荷
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关于光生伏特效应叙述中错误的是（） A: 用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结 B: p、n区都产生电子-空穴对，产生非平衡载流子 C: 非平衡载流子不破坏原来的热平衡 D: 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散
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PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
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在PN结的扩散运动中,P型半导体中载流子( ) 向N区进行扩散。 A: 空穴 B: 自由电子 C: 杂质
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不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？ A: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。 B: △Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。 C: △Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。 D: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。