举一反三
内容
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以N沟道增强型MOSFET为例，当漏源电压不变时，即使栅电压增加，漏极电流也不增加。
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下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。 A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的； B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现； C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零 D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
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以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
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下图中的三种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（）。[img=837x179]17de6587a759474.png[/img] A: P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET B: P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道 C: N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
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已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;