以N沟道增强型MOSFET为例，衬底掺杂浓度越高，阈值电压越小。
举一反三
- 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
- 以N沟道增强型MOSFET为例，栅氧化层厚度厚度越大，阈值电压越大。
- 以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（）。 A: 半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压 B: 若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小 C: 衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态 D: 氧化层厚度增加，阈值电压增加
- 以N沟道增强型MOSFET为例，栅氧化层中的正电荷使阈值电压增大。
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小