下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度：
A: 减小集电区的掺杂浓度
B: 在集电区引入产生-复合中心
C: 减小集电区宽度
D: 减小基区宽度
A: 减小集电区的掺杂浓度
B: 在集电区引入产生-复合中心
C: 减小集电区宽度
D: 减小基区宽度
举一反三
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 提高特征频率fT的主要技术途径包括： A: 减小发射结面积AE； B: 减小集电结面积AC； C: 减小基区宽度xB； D: 减小集电区掺杂浓度NC；
- 在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制： A: 集电区穿通效应 B: Early 效应 C: 基区穿通效应 D: Webster效应
- 双极型晶体管的基区输运系数主要取决于 A: 发射区宽度 B: 基区宽度 C: 发射效率 D: 集电区宽度
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度