衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
举一反三
- 以下关于半导体器件描述正确的是（ ） A: mos管的开启电压为0.7V左右 B: 二极管的开启电压为0.7V左右 C: 衬偏效应会使mos管的阈值电压减小 D: 器件尺寸比较小时MOS管的电流电压方程仍然适用
- 当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（） A: 增大 B: 减小 C: 不变 D: 先增大后减小
- MOS管的阈值电压受衬底偏置电压的影响，我们可以通过调节衬底电位来间接调节电路的漏电流功耗和门延时
- 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
- 共源共栅放大电路，如果考虑器件的衬底偏置效应，则电压增益会（ ）。 A: 增大 B: 不变 C: 减小 D: 可能增大也可能减小