锂光电效应红限波长为 500 nm，则锂的电子逸出功为
A: 2.49 eV
B: 24.9 eV
C: 2.19 eV
D: 21.9 eV
A: 2.49 eV
B: 24.9 eV
C: 2.19 eV
D: 21.9 eV
举一反三
- 锂的光电效应红限波长为[img=17x22]17de6116d4c5e16.png[/img] = 0.50 mm，则锂电子的逸出功为（ ） 未知类型：{'options': ['2.49 eV', '2.49 J', '', ''], 'type': 102}
- 锂的光电效应红限波长为[img=17x22]180301d4e1e52a1.png[/img] = 0.50 mm，则锂电子的逸出功为（ ） A: 2.49 eV B: 2.49 J C: [img=98x24]180301d4ea3426d.png[/img] D: [img=89x24]180301d4f2e1ce7.png[/img]
- 锂的光电效应红限波长为[img=17x22]180316602e110c7.png[/img] = 0.50 mm，则锂电子的逸出功为（ ） A: 2.49 eV B: 2.49 J C: [img=98x24]1803166036c0f08.png[/img] D: [img=89x24]180316603e7a6b3.png[/img]
- 金属铯的红限波长λ0= 660nm,其逸出功A为()。 A: 1.88 eV B: 2.0 eV C: 3.2 eV D: 1.22 eV
- 光电效应中，电子克服金属束缚而做的功叫逸出功或脱出功。已知某金属光电效应的红限为600纳米，求该金属的脱出功。 A: 5.6 eV B: 4.6 eV C: 2.1 eV D: 6.3 eV