光电效应中，电子克服金属束缚而做的功叫逸出功或脱出功。已知某金属光电效应的红限为600纳米，求该金属的脱出功。
A: 5.6 eV
B: 4.6 eV
C: 2.1 eV
D: 6.3 eV
A: 5.6 eV
B: 4.6 eV
C: 2.1 eV
D: 6.3 eV
举一反三
- 锂光电效应红限波长为 500 nm，则锂的电子逸出功为 A: 2.49 eV B: 24.9 eV C: 2.19 eV D: 21.9 eV
- 金属铯的红限波长λ0= 660nm,其逸出功A为()。 A: 1.88 eV B: 2.0 eV C: 3.2 eV D: 1.22 eV
- 能量为 4.0eV 的光子入射某金属表面，测得逸出光电子的最大初动能为 1.0 eV，为了使该金属能产生光电效应，则入射光子的最低能量为： A: 3.0 eV B: 1.0 eV C: 4.0 eV D: 5.0 eV
- 当入射光能量为1300 eV，逸出材料表面的电子动能测得为550 eV，功函数为5 eV，则该被激发电子的结合能为 ( ) A: 1850 eV B: 1845 eV C: 755 eV D: 745 eV
- 在光电效应实验中，测得某金属的遏止电压[img=15x17]17e0c665b4d75af.jpg[/img]与照射光频率ν的关系曲线如图所示，则该金属的逸出功A= eV。[img=683x439]17e0c665c7970ba.png[/img]