以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。
A: 增加沟道长度
B: 减小栅氧化层厚度
C: 减小沟道宽度
D: 提高阈值电压
A: 增加沟道长度
B: 减小栅氧化层厚度
C: 减小沟道宽度
D: 提高阈值电压
举一反三
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（ ）。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
- 短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定