关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______A: 源区B: 沟道区靠近源区一侧C: 沟道区靠近漏区一侧D: 漏区 答案： 查看 举一反三 衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>;0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区 中国大学MOOC: 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______ MOS晶体管的源区、漏区以及源、漏之间的沟道区域通常称为: A: 场区 B: 隔离区 C: 有源区 D: 衬底区 MOS晶体管的源区、漏区一级源、漏之间的沟道区域通常称为 A: 场区 B: 有源区 C: 衬底区 D: 阱区 智慧职教: nmos的沟道为（ ）型，衬底为（ ）型硅，漏区和源区为（ ）型。
