测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A: 恒流区（饱和区、放大工作区）
B: 可变电阻区
C: 预夹断临界点
D: 截止区
A: 恒流区（饱和区、放大工作区）
B: 可变电阻区
C: 预夹断临界点
D: 截止区
D
举一反三
- 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态 A: 恒流 B: 可变电阻 C: 预夹断临界点 D: 截止
- 中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
- 测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。 A: 饱和区 B: 预夹断临界点 C: 可变电阻区 D: 截止区
- 测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1V,则该管工作在( ) A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 A: 饱和 B: 截止 C: 可变电阻 D: 无法判断
内容
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测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。 A: 饱和 B: 截止 C: 可变电阻 D: 无法判断
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测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1.5V,则该管工作在( )。 A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
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增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。 A: 非饱和区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 线性区
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当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（ ）区。 A: 可变电阻 B: 截止区 C: 恒流区（饱和区） D: 不能确定
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P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。