以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（ ）。
A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C: 减小发射结和集电结面积以减小电容
D: 适当降低集电区电阻率和厚度
A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C: 减小发射结和集电结面积以减小电容
D: 适当降低集电区电阻率和厚度
B
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举一反三
- 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（ ）。 A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子 C: 减小发射结和集电结面积以减小电容 D: 适当降低集电区电阻率和厚度
- 以下各项中，不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是（ ）。 A: 降低发射区与基区的方块电阻之比 B: 减小基区宽度 C: 减小基区自建电场因子 D: 提高基区少子寿命和迁移率
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A: 正确 B: 错误
内容
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下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率 A: 提高发射区的掺杂浓度 B: 采用宽禁带基区材料 C: 减小基区掺杂浓度 D: 减少发射结复合电流
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提高特征频率fT的主要技术途径包括： A: 减小发射结面积AE； B: 减小集电结面积AC； C: 减小基区宽度xB； D: 减小集电区掺杂浓度NC；
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下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度： A: 减小集电区的掺杂浓度 B: 在集电区引入产生-复合中心 C: 减小集电区宽度 D: 减小基区宽度
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要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
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为提高单管共射放大电路的上限截止频率，以下措施可行的是______。 A: 降低耦合电容容量 B: 选择结电容大的晶体管 C: 减小负载电阻 D: 选择特征频率低的晶体管