以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。
A: 栅氧化层厚度
B: 沟道长度
C: 氧化层固定电荷
D: 衬底掺杂浓度
A: 栅氧化层厚度
B: 沟道长度
C: 氧化层固定电荷
D: 衬底掺杂浓度
举一反三
- 影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（ ）。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（ ）。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压