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  • 2022-06-19
    以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 ( )。
    A: 栅氧化层厚度
    B: 沟道长度
    C: 氧化层固定电荷
    D: 衬底掺杂浓度
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    举一反三

    • 影响MOSFET阈值电压的因素有( )。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
    • 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅:( )。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
    • 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应:( )。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
    • 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
    • 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压

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    相关标签

      氧化 掺杂 阈值电压 阈值 厚度 固定 因素 电荷 以下 长度 mosfet 影响 电压 沟道 衬底 哪些因素 哪些 无影 道长 浓度

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