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  • 2022-06-07
    41、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,栅氧化层厚度应减薄一半。
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    举一反三

    • 42、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,源、漏区结深应缩小一半。。
    • 为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。
    • 43、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,衬底掺杂浓度应减小一倍。。
    • 要提高MOSFET的跨导,需要( )沟道长度和栅氧化层厚度。 A:
    • 要提高MOSFET的跨导,需要( )沟道长度和栅氧化层厚度。

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