以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应 A: ①②③④⑤⑥ B: ①②③④⑤ C: ①③④⑤⑥ D: ①②③⑤⑥
以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应 A: ①②③④⑤⑥ B: ①②③④⑤ C: ①③④⑤⑥ D: ①②③⑤⑥
中国大学MOOC: 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应
中国大学MOOC: 以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应
短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压不一定
短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压不一定
短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定
短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定
当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（ ），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。 A:
当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（ ），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。 A:
阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
中国大学MOOC: 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（ ），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。
中国大学MOOC: 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（ ），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应，< B: 沟道效应，> C: 横向效应，< D: 横向效应，>
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应，< B: 沟道效应，> C: 横向效应，< D: 横向效应，>
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 ______ 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应， B: 横向效应，> C: 沟道效应，> D: 横向效应，
在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 ______ 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应， B: 横向效应，> C: 沟道效应，> D: 横向效应，
为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。