关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是()。
A: 具有全或无性质
B: 属去极化局部电位
C: 由突触后膜对Na+通透性增加所致
D: 属超极化局部电位
E: 由突触前膜递质释放量减少所致
A: 具有全或无性质
B: 属去极化局部电位
C: 由突触后膜对Na+通透性增加所致
D: 属超极化局部电位
E: 由突触前膜递质释放量减少所致
举一反三
- 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是 A: 是局部除极化电位 B: 具有"全或无"性质 C: 是局部超极化电位 D: 由突触前膜递质释放量减少所致 E: 由突触后膜对钠通透性增加所致
- 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。 A: 是局部去极化电位 B: 具有"全或无"性质 C: 是局部超极化电位 D: 由突触前膜递质释放量减少所致 E: 由突触后膜对钠通透性增加所致
- 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。 A: A是局部去极化电位 B: B具有"全或无"性质 C: C是局部超极化电位 D: D由突触前膜递质释放量减少所致 E: E由突触后膜对钠通透性增加所致
- 下列对抑制性突触后电位描述中正确的是下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（） A: 是去极化的局部电位 B: 具有全或无性质 C: 是超极化局部电位 D: 是突触前膜递质释放量减少所致 E: 是突触后膜Na+通透性增加所致
- 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是 A: 是局部去极化电位 B: 具有“全或无”性质 C: 是局部超级化电位 D: 由突触前膜递质释放量减少所致 E: 由突触后膜对钠通透性增加所致