STM32f103ze微控制器具有 KB片内flash存储器，具有 KB片内SRAM存储器。
STM32f103ze微控制器具有 KB片内flash存储器，具有 KB片内SRAM存储器。
某高斯信道带宽为10 kHz，输出信噪比为20 dB，则信道容量约为 A: 200 kb/s B: 36 kb/s C: 40 kb/s D: 67 kb/s
某高斯信道带宽为10 kHz，输出信噪比为20 dB，则信道容量约为 A: 200 kb/s B: 36 kb/s C: 40 kb/s D: 67 kb/s
某SRAM存储器芯片有12根地址线，8根数据线，该芯片有（ ）KB存储单元。 A: 1 B: 2 C: 3 D: 4
某SRAM存储器芯片有12根地址线，8根数据线，该芯片有（ ）KB存储单元。 A: 1 B: 2 C: 3 D: 4
DRAM速度（）SRAM，集成度（）SRAM。
DRAM速度（）SRAM，集成度（）SRAM。
SRAM和DRAM的区别？（） A: SRAM比DRAM功耗高 B: SRAM比DRAM成本高 C: SRAM比DRAM速度快 D: SRAM比DRAM散热大
SRAM和DRAM的区别？（） A: SRAM比DRAM功耗高 B: SRAM比DRAM成本高 C: SRAM比DRAM速度快 D: SRAM比DRAM散热大
3-在水溶液中共轭酸碱对()Ka()与()Kb()的关系是()------------------()()(A)()Ka()·()Kb=1()(B)()Ka()·()Kb=Kw(C)Ka/Kb=Kw()(D)()Kb/Ka=KwA.()Ka·Kb=1()B.()Ka·Kb=Kw()C.()Ka/Kb=Kw()D.()Kb/Ka=Kw
3-在水溶液中共轭酸碱对()Ka()与()Kb()的关系是()------------------()()(A)()Ka()·()Kb=1()(B)()Ka()·()Kb=Kw(C)Ka/Kb=Kw()(D)()Kb/Ka=KwA.()Ka·Kb=1()B.()Ka·Kb=Kw()C.()Ka/Kb=Kw()D.()Kb/Ka=Kw
Arduino UNO板有（ ）。 A: 14个数字引脚 B: 6个模拟输入引脚 C: ROM 存储器32kb D: SRAM20KB E: 时钟频率20MHz
Arduino UNO板有（ ）。 A: 14个数字引脚 B: 6个模拟输入引脚 C: ROM 存储器32kb D: SRAM20KB E: 时钟频率20MHz
共轭酸碱对的Ka 和Kb 的关系是( ) A: Ka= Kb B: Ka Kb =1 C: Ka /Kb =Kw D: Ka Kb=Kw E: Ka /Kb =1
共轭酸碱对的Ka 和Kb 的关系是( ) A: Ka= Kb B: Ka Kb =1 C: Ka /Kb =Kw D: Ka Kb=Kw E: Ka /Kb =1
水溶液中共轭酸碱对Ka与Kb的关系是（）? Kb/Ka=Kw|Ka×Kb=1|;Ka×Kb=Kw|Ka/Kb=Kw
水溶液中共轭酸碱对Ka与Kb的关系是（）? Kb/Ka=Kw|Ka×Kb=1|;Ka×Kb=Kw|Ka/Kb=Kw
一对共轭酸碱对中Ka与Kb的关系是 A: Ka＝Kb B: Ka＞Kb C: Ka＜Kb D: Ka×Kb＝Kw
一对共轭酸碱对中Ka与Kb的关系是 A: Ka＝Kb B: Ka＞Kb C: Ka＜Kb D: Ka×Kb＝Kw