图示桁架中的零杆为（）。 A: DC；EC；DE；DF；EF B: DE，DF，EF C: AF；BF；DE；DF；EF D: DC；EC；AF；BF
图示桁架中的零杆为（）。 A: DC；EC；DE；DF；EF B: DE，DF，EF C: AF；BF；DE；DF；EF D: DC；EC；AF；BF
非简并半导体满足下述哪个条件？（ ） A: Ec－EF˃˃k0T或EF－Ev˂<k0T B: Ec－EF˃˃k0T或EF－Ev˃˃k0T C: Ec－EF ˂<k0T或EF－Ev ˂<k0T D: Ec－EF ˂<k0T或EF－Ev ˃˃k0T
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对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
哪一个编号的酶可能是乙醇脱氢酶？ A: EC 1.1.1.1 B: EC 2.7.3.2 C: EC 3.1.3.2 D: EC 4.2.1.2 E: EC 5.1.1.3 F: EC 6.3.1.2
哪一个编号的酶可能是乙醇脱氢酶？ A: EC 1.1.1.1 B: EC 2.7.3.2 C: EC 3.1.3.2 D: EC 4.2.1.2 E: EC 5.1.1.3 F: EC 6.3.1.2
3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D
3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
碰撞理论中的Ec和阿仑尼乌斯公式中的Ea的关系为( )。 A: Ec＞Ea B: Ec<Ea C: Ec=Ea D: 不能确定
碰撞理论中的Ec和阿仑尼乌斯公式中的Ea的关系为( )。 A: Ec＞Ea B: Ec<Ea C: Ec=Ea D: 不能确定
Eb/Nt和Ec/Io的关系描述下面正确的是（） A: Eb/Nt=Ec/Io＋扩频增益； B: Eb/Nt=Ec/Io－扩频增益； C: Eb/Nt=Ec/Io＋处理增益－3dB； D: Eb/Nt=Ec/Io－处理增益－3dB。
Eb/Nt和Ec/Io的关系描述下面正确的是（） A: Eb/Nt=Ec/Io＋扩频增益； B: Eb/Nt=Ec/Io－扩频增益； C: Eb/Nt=Ec/Io＋处理增益－3dB； D: Eb/Nt=Ec/Io－处理增益－3dB。
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