gan'shou'tai
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对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确
对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确
“序列化+ 残差结合”的方式，能增加 GAN 需要学习的内容和难度，从而达到了 “辅助”GAN 学习的目的。
“序列化+ 残差结合”的方式，能增加 GAN 需要学习的内容和难度，从而达到了 “辅助”GAN 学习的目的。
GaN有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。
GaN有闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。
生成对抗网络（GAN）的判别器要区分真样本和假样本，因此GAN是一种监督学习算法。 A: 正确 B: 错误
生成对抗网络（GAN）的判别器要区分真样本和假样本，因此GAN是一种监督学习算法。 A: 正确 B: 错误
在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。(<br/>)
在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。(<br/>)
GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。(<br/>)
GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。(<br/>)
GAN模型通常被用来进行图像风格化。（ ）
GAN模型通常被用来进行图像风格化。（ ）
在通常情况下，GaN是直接带隙半导体材料。 （ ）
在通常情况下，GaN是直接带隙半导体材料。 （ ）
高亮度蓝光LED难以制备,是因为( ) 。 A: 高质量GaN材料很难制备 B: 高质量的InGaN材料难以制备 C: p型GaN难以制备 D: GaP材料难以制备
高亮度蓝光LED难以制备,是因为( ) 。 A: 高质量GaN材料很难制备 B: 高质量的InGaN材料难以制备 C: p型GaN难以制备 D: GaP材料难以制备