在CO2、SiH4、BF3分子中，它们（）。 A: 都是极性分子 B: CO、SiH是非极性分子，BF是极性分子 C: 都是非极性分子 D: CO是非极性分子，SiH、BF是极性分子
在CO2、SiH4、BF3分子中，它们（）。 A: 都是极性分子 B: CO、SiH是非极性分子，BF是极性分子 C: 都是非极性分子 D: CO是非极性分子，SiH、BF是极性分子
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。 A: SiH<sub>2</sub> B: SiH C: SiH<sub>3</sub> D: SiH<sub>4</sub>
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。 A: SiH<sub>2</sub> B: SiH C: SiH<sub>3</sub> D: SiH<sub>4</sub>
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。 A: SiH B: SiH C: SiH D: SiH
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。 A: SiH B: SiH C: SiH D: SiH
在CO2、SiH4、BF3分子中，它们（）。 A: 都是极性分子 B: C C: SiH是非极性分子，BF是极性分子 D: 都是非极性分子 E: CO是非极性分子，Si F: BF是极性分子
在CO2、SiH4、BF3分子中，它们（）。 A: 都是极性分子 B: C C: SiH是非极性分子，BF是极性分子 D: 都是非极性分子 E: CO是非极性分子，Si F: BF是极性分子
下列物质熔沸点高低顺序是( )。 A: He＞Ne＞Ar B: HF＞HCl＞HBr C: CH<sub>4</sub>＜SiH<sub>4</sub>＜GeH<sub>4</sub> D: W＞Cs＞Ba
下列物质熔沸点高低顺序是( )。 A: He＞Ne＞Ar B: HF＞HCl＞HBr C: CH<sub>4</sub>＜SiH<sub>4</sub>＜GeH<sub>4</sub> D: W＞Cs＞Ba
下列氢化物中，在室温下与水反应不产生氢气的是( ) A: LiAlH<sub>4</sub> B: CaH<sub>2</sub> C: SiH<sub>4</sub> D: NH<sub>3</sub>
下列氢化物中，在室温下与水反应不产生氢气的是( ) A: LiAlH<sub>4</sub> B: CaH<sub>2</sub> C: SiH<sub>4</sub> D: NH<sub>3</sub>
下列化合物存在氢键的是（） A: NH B: SiH C: O D: HS
下列化合物存在氢键的是（） A: NH B: SiH C: O D: HS
下列化合物常温下呈液态的是（）。 A: SiH B: GeH C: SiF D: SiCl
下列化合物常温下呈液态的是（）。 A: SiH B: GeH C: SiF D: SiCl
下列分子中偶极矩最小的是（） A: NH B: PH C: HS D: SiH
下列分子中偶极矩最小的是（） A: NH B: PH C: HS D: SiH
下列化合物的分子间可以形成氢键的是( )。 A: H<sub>2</sub> B: H<sub>2</sub>O C: SiH<sub>4</sub> D: H<sub>2</sub>S
下列化合物的分子间可以形成氢键的是( )。 A: H<sub>2</sub> B: H<sub>2</sub>O C: SiH<sub>4</sub> D: H<sub>2</sub>S