12Ω和8Ω的电阻串联,电路的总电压是20V,这两电阻的电压分别是() A: 16 V、4 V B: 8 V、6 V C: 12 V、8 V D: 8 V、12 V
12Ω和8Ω的电阻串联,电路的总电压是20V,这两电阻的电压分别是() A: 16 V、4 V B: 8 V、6 V C: 12 V、8 V D: 8 V、12 V
某债券面值1000元,票面利率为8%,期限10年,每年付息一次,要对这种债券进行投资,当前的市场利率为6%,计算债券内在价值。 A: V=60(P/F,8%,10)+1000(P/A,8%,10) B: V=80(P/F,6%,10)+1000(P/A,6%,10) C: V=60(P/A,8%,10)+1000(P/F,8%,10) D: V=80(P/A,6%,10)+1000(P/F,6%,10)
某债券面值1000元,票面利率为8%,期限10年,每年付息一次,要对这种债券进行投资,当前的市场利率为6%,计算债券内在价值。 A: V=60(P/F,8%,10)+1000(P/A,8%,10) B: V=80(P/F,6%,10)+1000(P/A,6%,10) C: V=60(P/A,8%,10)+1000(P/F,8%,10) D: V=80(P/A,6%,10)+1000(P/F,6%,10)
For an n-channel JFET IDSS = 8 mA and Vp = -6 Volts. If ID = 6 mA. What is the value of the gate-to-source voltage, VGS=? _______ A: -0.8 V B: -1.5 V C: 0.1335 V D: -4.5 V
For an n-channel JFET IDSS = 8 mA and Vp = -6 Volts. If ID = 6 mA. What is the value of the gate-to-source voltage, VGS=? _______ A: -0.8 V B: -1.5 V C: 0.1335 V D: -4.5 V
输入日期数据时,合法的日期格式是() A: 1999/26/8 B: 1999/8/26 C: 8/26/1999 D: 26/8/1999
输入日期数据时,合法的日期格式是() A: 1999/26/8 B: 1999/8/26 C: 8/26/1999 D: 26/8/1999
全国社区戒毒社区康复工作的规划(2016—2020年)又被简称为()。 A: 8·31工程 B: 6·27工程 C: 6·26工程 D: 10·26工程
全国社区戒毒社区康复工作的规划(2016—2020年)又被简称为()。 A: 8·31工程 B: 6·27工程 C: 6·26工程 D: 10·26工程
全国社区戒毒社区康复工作的规划(2016—2020年)又被简称为() A: 8·31工程 B: B . 6·27工程 C: 6·26工程 D: 10·26工程
全国社区戒毒社区康复工作的规划(2016—2020年)又被简称为() A: 8·31工程 B: B . 6·27工程 C: 6·26工程 D: 10·26工程
电路如图所示,b点的电位为V。 A: 6 B: 8 C: -6 D: 5
电路如图所示,b点的电位为V。 A: 6 B: 8 C: -6 D: 5
a是整形变量,则执行表达a=26/3后a的值为______。 A: 0 B: 8 C: 6
a是整形变量,则执行表达a=26/3后a的值为______。 A: 0 B: 8 C: 6
在图示电路中,Uab=()V A: 0 B: 4 C: 8 D: 6
在图示电路中,Uab=()V A: 0 B: 4 C: 8 D: 6
For an n-channel depletion MOSFET IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If ID = 0.0095 A, what is the value of the gate-to-source voltage, VGS? A: 0.54 V B: -0.54 V C: 0.1335 V D: 6.54 V
For an n-channel depletion MOSFET IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If ID = 0.0095 A, what is the value of the gate-to-source voltage, VGS? A: 0.54 V B: -0.54 V C: 0.1335 V D: 6.54 V