金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
非简并半导体满足下述哪个条件？（ ） A: Ec－EF˃˃k0T或EF－Ev˂<k0T B: Ec－EF˃˃k0T或EF－Ev˃˃k0T C: Ec－EF ˂<k0T或EF－Ev ˂<k0T D: Ec－EF ˂<k0T或EF－Ev ˃˃k0T
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对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
对于非简并p型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致EF靠近（ ）。 A: Ec B: Ev C: Ei D: Et
氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV
氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV
如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV
如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV
如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev
如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev
在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV
在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV
3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D
3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D
本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV