反相加法运算电路R11= R12= 4kΩ,R13=2 kΩ平衡电阻R2= ( ) kΩ。 A: 1 B: 2 C: 4
反相加法运算电路R11= R12= 4kΩ,R13=2 kΩ平衡电阻R2= ( ) kΩ。 A: 1 B: 2 C: 4
已知Ag2CrO4的溶度积值为K, 则25℃饱和溶液的溶解度是 A: K1/3 B: (4K)3 C: (K/4)3 D: (K/4)1/3
已知Ag2CrO4的溶度积值为K, 则25℃饱和溶液的溶解度是 A: K1/3 B: (4K)3 C: (K/4)3 D: (K/4)1/3
偶数集合的表示方法是什么？（） A: {2k|k∈Z} B: {3k|k∈Z} C: {4k|k∈Z} D: {5k|k∈Z}
偶数集合的表示方法是什么？（） A: {2k|k∈Z} B: {3k|k∈Z} C: {4k|k∈Z} D: {5k|k∈Z}
判断下列生产函数所表示的规模报酬状况。 （1）f(K，L）=K∧2×L （2）f(K，L）=K+2L （3）f(K，L）=KL―0.5L∧2―0.32K∧2 （4）f(K，L）=3L∧0.3×K∧0.8 （5）f(K，L）=min(3L，4K）
判断下列生产函数所表示的规模报酬状况。 （1）f(K，L）=K∧2×L （2）f(K，L）=K+2L （3）f(K，L）=KL―0.5L∧2―0.32K∧2 （4）f(K，L）=3L∧0.3×K∧0.8 （5）f(K，L）=min(3L，4K）
在下图所示晶体管放大电路中,己知UCC=12 V,RC=4 kΩ, RB=300 kΩ,晶体管的β=37.5 ,RL=4kΩ,试求静态工作点Q [img=232x137]17e44b6f87d9321.jpg[/img]
在下图所示晶体管放大电路中,己知UCC=12 V,RC=4 kΩ, RB=300 kΩ,晶体管的β=37.5 ,RL=4kΩ,试求静态工作点Q [img=232x137]17e44b6f87d9321.jpg[/img]
K[br][/br]B、 8K[br][/br]C、 4K[br][/br]D、 2K
K[br][/br]B、 8K[br][/br]C、 4K[br][/br]D、 2K
某存储器具有12根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为( )。 A: 2k´8bit B: 4 k´8bit C: 2k´256bit D: 4k´256bit
某存储器具有12根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为( )。 A: 2k´8bit B: 4 k´8bit C: 2k´256bit D: 4k´256bit
单选：系统的开环传递函数为[img=177x39]17e43c88479a49b.jpg[/img]，根轨迹增益为（ ）。 A: K B: 2K C: 4K D: K/2
单选：系统的开环传递函数为[img=177x39]17e43c88479a49b.jpg[/img]，根轨迹增益为（ ）。 A: K B: 2K C: 4K D: K/2
已知H 3AsO 4的逐级酸常数分别为K a 1 Θ、K a 2 Θ、K a 3 Θ，则HAsO 4 2 －离子的K b Θ值及其共轭酸为 A: K w Θ/ K a 2 Θ，H 2AsO 4 － B: K w Θ/ K a 3 Θ，H 2AsO 4 － C: K w Θ/ K a 2 Θ，H 3AsO 4 D: K w Θ/ K a 3 Θ，H 3AsO 4
已知H 3AsO 4的逐级酸常数分别为K a 1 Θ、K a 2 Θ、K a 3 Θ，则HAsO 4 2 －离子的K b Θ值及其共轭酸为 A: K w Θ/ K a 2 Θ，H 2AsO 4 － B: K w Θ/ K a 3 Θ，H 2AsO 4 － C: K w Θ/ K a 2 Θ，H 3AsO 4 D: K w Θ/ K a 3 Θ，H 3AsO 4
若齐次线性方程组有非零的解，则k必须满足（）。 A: k=4 B: k=-1 C: k≠-1且k≠4 D: k=-1或k=4
若齐次线性方程组有非零的解，则k必须满足（）。 A: k=4 B: k=-1 C: k≠-1且k≠4 D: k=-1或k=4