下列FET的中，寄生“平板电容器”效应的是（）。
A: NJFET
B: PJEFT
C: NEMOS
D: BJT
A: NJFET
B: PJEFT
C: NEMOS
D: BJT
举一反三
- 下列关于BJT和FET的描述正确的是（ ）。 A: BJT为双极型器件，FET为单极型器件； B: BJT为流控器件，FET为压控器件； C: BJT能用在高频环境，FET不可以； D: BJT和FET不可同时使用；
- BJT与FET管的输出电阻为（） A: 均很大 B: 均很小 C: BJT管很大，FET管较小 D: BJT管很小，FET管较大
- 对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。 A: NEMOS B: PDMOS C: NJFET D: PJFET E: NDMOS F: PEMOS
- 平板电容器的电容公式为
- 一个FET的输出特性曲线如图所示，则该FET的类型为______。[img=400x344]1803e2df5a262f6.png[/img] A: NEMOS B: NDMOS C: PEMOS D: PDMOS