下列FET的中，寄生“平板电容器”效应的是（）。 A: NJFET B: PJEFT C: NEMOS D: BJT
下列FET的中，寄生“平板电容器”效应的是（）。 A: NJFET B: PJEFT C: NEMOS D: BJT
对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。 A: NEMOS B: PDMOS C: NJFET D: PJFET E: NDMOS F: PEMOS
对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。 A: NEMOS B: PDMOS C: NJFET D: PJFET E: NDMOS F: PEMOS
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