MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
错
举一反三
- MOSFET的饱和漏极电流由()电压决定。 A: 栅极 B: 源极 C: 漏极 D: 体
- MOSFET利用（ ）电压控制（ ）电流的大小，是（ ）器件。 A: 栅漏，漏极，电流控制电流 B: 栅源，漏极，电压控制电流 C: 漏源，漏极，电流控制电压 D: 栅源，栅极，电流控制电压
- 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
- 电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ）
内容
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MOSFET的沟道处于导通状态时，源漏极电压与漏极电流无关。
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功率MOSFET的极限参数指的是（）。 A: 最大漏极电流 B: 最小漏极电流 C: 最大许用漏-源电压 D: 最小许用漏-源电压
- 2
39、在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是主要由于沟道夹断，而在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是主要由于载流子漂移速度饱和。
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电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ） A: 对 B: 错
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场效应晶体管是用()控制漏极电流的。 A: 栅极电流 B: 栅极电压 C: 漏极电流 D: 漏极电压