在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
举一反三
- 39、在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是主要由于沟道夹断，而在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是主要由于载流子漂移速度饱和。
- N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。
- MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
- MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关：（ ）。 A: 饱和漏源电压 B: 跨导 C: 饱和漏极电流 D: 最高工作频率
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关