兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的形成过程中,共同的是:
A: 突触前膜均发生去极化
B: 突触前膜释放的递质的性质一样
C: 突触后膜对离子的通透性的改变一样
D: 突触后膜均发生去极化
E: 突触后膜均发生超极化
A: 突触前膜均发生去极化
B: 突触前膜释放的递质的性质一样
C: 突触后膜对离子的通透性的改变一样
D: 突触后膜均发生去极化
E: 突触后膜均发生超极化
举一反三
- 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是( ) A: 突触前膜均去极化 B: 突触后膜均去极化 C: 突触前膜释放的递质性质一样 D: 突触后膜对离子通透性一样
- A1/A2型题 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。 A: 突触前膜均去极化 B: 突触后膜均去极化 C: 突触前膜释放的递质性质一样 D: 突触后膜对离子通透性一样 E: 产生的突触后电位的最终效应一样
- 关于突触前抑制的正确描述是: A: 突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极化电位 B: 突触前膜超极化,释放抑制性递质 C: 突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少 D: 突触前膜去极化,释放抑制性递质 E: 突触后膜受体不能与兴奋性递质结合
- EPSP与IPSP所共有的特征是 A: 突触前膜均去极化 B: 突触前膜均超极化 C: 突触后膜均去极化 D: 突触后膜均超极化 E: 突触后膜对离子的通透性相同
- 抑制性突出后电位的发生机制()。 A: 突触前膜释放兴奋性递质 B: 突触前膜释放抑制性递质 C: 突触后膜兴奋性下降 D: 突触后膜兴奋性提高