关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-14 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。 A: 热氧化 B: CVD C: PVD D: 热扩散 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。A: 热氧化B: CVDC: PVDD: 热扩散 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。 集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。 A: 干氧氧化 B: 湿氧氧化 C: 离子氧化 D: 水蒸汽氧化 光纤的主要材料是（） A: 二氧化锗 B: 二氧化硅 C: 三氧化二硼 D: 五氧化二磷 PVD与CVD比较，下列那种说法正确： A: PVD薄膜的保形性更好； B: PVD薄膜与衬底的粘附性较差； C: CVD工艺温度更低； D: CVD普适性更好。 光纤的主要材料是________ A: 五氧化而磷 B: 二氧化锗 C: 二氧化硅 D: 三氧化二硼
