当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（ ）区。
A: 可变电阻
B: 截止区
C: 恒流区（饱和区）
D: 不能确定
A: 可变电阻
B: 截止区
C: 恒流区（饱和区）
D: 不能确定
举一反三
- N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压，而栅漏电压小于开启电压时，该MOS管工作在恒流区。（ ） A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: N沟道增强型MOS管栅源电压大于开启电压，而栅漏电压小于开启电压时，该MOS管工作在恒流区。（ ）
- 测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1V,则该管工作在( ) A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 测量某N沟道MOSFET的漏源电压为3V,栅源电压为2V,其开启电压为1.5V,则该管工作在( )。 A: 饱和区 B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 预夹断临界点
- 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。 A: 恒流区（饱和区、放大工作区） B: 可变电阻区 C: 预夹断临界点 D: 截止区