某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]17de92640a9c172.png[/img]
A: 增强型NMOS
B: 耗尽型NMOS
C: N沟道结型
D: 耗尽型PMOS
A: 增强型NMOS
B: 耗尽型NMOS
C: N沟道结型
D: 耗尽型PMOS
举一反三
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]18030e04cb3f602.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]18030e04696731b.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图3.3.1所示,则该管是()场效应管[img=358x273]17b0c8509359bb2.png[/img] A: 增强型NMOS B: 增强型PMOS C: 耗尽型NMOS D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示。则该管是 场效应管。 [img=154x151]1802d1f454d8351.jpg[/img] A: 增强型NMOS B: 增强型PMOS C: 耗尽型NMOS D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管