一个晶格常数为a的二维正方晶格，（1）用紧束缚近似求S能带表示式，能带顶和能带底的位置以及能带宽度；（2）求能带底电子和能带顶空穴的有效质量；（3）写出s能带电子的速度表示式。
解：（1）选某一原子为坐标原点，最近邻的原子有四个，位置为[tex=1.214x1.5]EkuRVRe5MEGiYA6eWS0yVg==[/tex][tex=6.071x2.143]x36a4sLXpoHUIKxAeHrpQVROl2iFg/kpRcbHPODXnUt7scNUUJVBvR/vDsvEL0HA3sU477P8kOEfMCF2I0AFxQ==[/tex] 由 [p=align:center][tex=17.714x3.143]gQZF5PpNQ1dzEcpXpLFe73PPQGon2ybqf2fKJIJRXA5SR2bL2j/lNHcMwFcdOeZQAVVGVOW+iFjqJMPXowAhMC4WXV7lOGn5NBqkmqexDdX9xdtW4vvRHNpxCVmFEBfhpl8EYGgrJc/8xdaAm05on8hQT5l+4aJNjdqn1EB+seweFXTwjWm7XLkwFhgdLK3LYt9maPuuFGPMTlDE1Bz6o3Gfag1NPUqb0kAGPfCKtQUy/QowsPm2qcZPHkCLnGRy/GWH6zBRXEXcksCqq6zTMXyb50ShWzS8gHJGkFJm2n+iAGevoVvaViMlqJYIepC8bVW1KltLE33rZha1Y2B6s3kVfQXFl1Vwa0YnQVsFk5Y5lq0+w8CkkM2oIaJ4AJCb9B37YUCbFLvDztdVu2wTTg==[/tex]在第一B.Z 区 带底位置: [tex=5.643x1.286]lTjUZNdFeDFDTvX0AYB2aA==[/tex], 带顶位置:[p=align:center] [tex=9.929x1.357]p2SA7LrATjbO9e2K58OqYlpTo0OMAlKcQByMfN6N5HtoksUhEq+RGRtZtOZj8Kpc[/tex]宽带8B(2) [tex=16.143x2.5]d8Rsh3v+UjD67t95QD8y4y60rsZ5gx+TfzDhcdpXBi77ywcTzfGiTvT5tQM50W0BFRRqGJisPlNNh+WfEwmV5IU2JAwwxHTeKynUdmw873ezQcnu+MW5FTjqytonq+aNxp9FWt6y4gWWoVkYZWCz/n3tgQSpWM+YNwLYX7s59qqUz4RBKId4Byrg33U0diaB/Bg1b108aIsEi1OCYo/sJdMagotvCDwdzSZnisBctjVydGLMXFZbl3WYkqFNIpMI[/tex][p=align:center][tex=22.571x2.714]K6FSiTe1Lp2d9Jm2DH6Md6xbOHGeLbNvGXvz9R1Wm19RM7a15+jkjdPVq8LpvNeyphmUk9QZ7WJKsbM/5EY3L85d9uM329tqv8NTX1BzAiaiBDvAD4LRohqul2NkcOzGmwbHMQmbF6yhbFN9X7qFWFDBo99wjwtRYWxs/mHx0yyLhFzWsczLGufuqBkXXjW7T1hvnJZ3rRy0U/k3OBh0teaxJOCbzvaiw4di4k5hfuuHfABuU1V91tREWDKyV17ZZJ1mlMwNtplb4KSDXVsDOmTDsxdBUFhhEDv/4oHqvWw=[/tex]把带底位置 [tex=5.643x1.286]lTjUZNdFeDFDTvX0AYB2aA==[/tex] 代入 得: [tex=14.0x1.571]OiQsIGFrkSPbTMWc+cRaNRT2SnG8t4Xk+e3zdum2ecIF49c8KWXnrERz/5WsqQBMnF0lEMHYelBlmbszCWiyJ5NIljsHM8skwH91j/p/MgI=[/tex] 把带顶位置: [tex=10.357x1.357]p2SA7LrATjbO9e2K58OqYhgw6erEclLn4mGzV9I86DsUu5uOUTIxE7VMbnINg+zk[/tex] 代入 得:[p=align:center] [tex=14.071x1.643]OiQsIGFrkSPbTMWc+cRaNQYLUPsaj0gTnLUCBcS0PQ2TRNhBqMpdtQIdf1MDYMWXVYizggdKxtt7uASI4f9gBduuHA5z3aJrtnF1dvIkYWQ=[/tex]带顶空穴有效质量 [tex=11.071x1.571]WWaenrKs6uFihUGzIWL5fBC+v11emh3Vy3KsWluJ67iwnyqvA1tjHdcJmGOVDZ1J1XnxX37yN9Km6VWBGZTDJw==[/tex](3) [tex=19.357x2.357]amPZQi5wt/QOX6J17e6R2dOE1xxV11w5dDKCnk0QBmSmOqo2XQegg7y+gUAjxrErbAy3OcqChJiJBHqFimIxnDaAMuMoX4gJO7AgaV+jMbqsme0Jg8/FsrNbCIgrobwlfr/UZ8mAez50cdlPwMot7a+PmGZJUxILz0Jqa5ckHG+QzSMEC8ZLuOrvPk0d1WllC43TYqkSbNj+9pyM6G0r2Z8dVxbMhCWNSzsi2ZNdg97jMZdoxX8a5aIQcYaUuFkvNcz829Z+swfH+S02xl08p13P6MtWm9NyYUAkelqUzKA=[/tex]
举一反三
- 巳知-维晶体的电子能带可写成:[tex=18.0x2.786]ymMmzH75IXPdnkC6tT9GTEB046Q599wPc5id5QmvTvwicwRKAb/nRElTISPHJPdoZuMzmsNgBzl8g6No2VTOXMrqfYqbPQL1dzzM0v3IO8fY7DHdIuxqmXBfPmPONxs6hYK3LzpJ7wA2LfqF+77q6g==[/tex]式中,a为晶格常数。试求:(1)能带的宽度；(2)电子的波矢k状态时的速度；(3)能带底部和顶部电子的有效质量。
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一维晶体的电子能带可写为，式中为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量[tex=1.286x1.357]OTI0zV+jj6P2TOlomC9fBQ==[/tex]；（5）能带顶部空穴的有效质量[tex=1.286x1.5]oUc8VQR0ctwKHdljRVeFpg==[/tex]。[br][/br]
- 能带宽度是指能带顶的能量与能带底的能量之差。
- 半导体载流子有效质量大小跟能带的关系是(<br/>) A: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越大 B: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越小 C: 能带底或能带顶附近能带简并度越高有效质量越小 D: 没有明确的关系
内容
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能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为？
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一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ A: [img=170x27]180392369198574.png[/img] B: [img=184x27]1803923699f97ad.png[/img] C: [img=184x27]18039236a1e68d7.png[/img] D: [img=198x27]18039236a9af1b0.png[/img]
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从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；
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中国大学MOOC: 能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为？
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已知一维晶体的电子能带为http://edu-image.nosdn.127.net/39DB16DEFF682E3D20D61B36808A237A.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100，其中a是晶格常数，则其能带的宽度为 。