场效应管的静态工作点由哪些参数决定
A: IB IC VCE
B: VGS VDS ID
C: VGS VDS IC
D: IB ID VDS
A: IB IC VCE
B: VGS VDS ID
C: VGS VDS IC
D: IB ID VDS
举一反三
- 场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
- 场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
- P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS