关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,( )。 A: PN 结越宽 B: 沟道越窄 C: 沟道电阻变大 D: 电流 ID 就越小 E: 沟道越宽 N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,( )。A: PN 结越宽B: 沟道越窄C: 沟道电阻变大D: 电流 ID 就越小E: 沟道越宽 答案： 查看 举一反三 N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,沟道电阻( )。 A: 不一定 B: 不变 C: 变小 D: 变大 N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正 N沟道结型场效应管中,栅源间电压为零时,沟道最宽,漏极电流最大。 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管 N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。
