N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。
多、小、大
举一反三
- 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- 39、在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是主要由于沟道夹断，而在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是主要由于载流子漂移速度饱和。
- 在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时， 电路不可能正常放大。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
内容
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电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
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下面关于N沟道增强型场效应管，描述正确的是（ ）。 A: 只要vDS>;0，就会产生漏极电流 B: 只有vGS>;vT>;0，才能产生导电沟道 C: vGS越大，沟道的导电能力越强，在vDS相同时产生的漏极电流也越大 D: 因为漏极电流ID受栅源电压vGS控制，故其大小只和vGS有关，而和vDS无关
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当vGS为0时，_____（a.N沟道耗尽型b.N沟道增强型c.P沟道耗尽型d.P沟道增强型）MOS管存在导电沟道，在正的vGS电压作用下，可以有更大的漏极电流。
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中国大学MOOC: N 沟道 MOSFET涉及到（ ）的漂移作用，形成漏极电流。
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N 沟道 MOSFET涉及到______的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 离子