关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 陷阱中心的存在会增加少子寿命 陷阱中心的存在会增加少子寿命 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 陷阱中心的存在会增加少子寿命 关于“陷阱”，以下说法正确的是： A: 在费米能级附近时，最有利于陷阱效应 B: 在禁带中线附近时，最有利于陷阱效应 C: 陷阱的存在缩短了少子的寿命 D: 陷阱中心是浅能级杂质 1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的 A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏 C: 复合作用越强，少子寿命越短 D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关 简述硅块少子寿命硅块体少子寿命与硅块体少子寿命的区别？ 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
