1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的
A: 少子寿命是载流子的平均存在时间
B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏
C: 复合作用越强，少子寿命越短
D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关
A: 少子寿命是载流子的平均存在时间
B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏
C: 复合作用越强，少子寿命越短
D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关
A
举一反三
内容
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如果只是大致了解多晶硅中总金属杂质的水平，可以通过少子寿命值高低来确定，少子寿命值低就说明其金属杂质含量高。
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不能从海恩斯-肖克莱实验中推断出 A: 多子迁移率 B: 少子寿命 C: 少子迁移率 D: 少子扩散系数
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过剩电子和空穴的复合率决定于半导体的过剩少子的寿命。
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试述微波光电导法测试少子寿命的原理，并分析光强/重金属杂志对少子寿命的测量有何影响？
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过剩电子和空穴的复合率决定于半导体的过剩少子的寿命。 A: 正确 B: 错误