当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）
A: 1/n0
B: 1/△n
C: 1/p0
D: 1/△p
A: 1/n0
B: 1/△n
C: 1/p0
D: 1/△p
举一反三
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体,大注入时,过剩少子的寿命正比于() A: 1/p0 B: 1/Δp C: 1/ni D: 1/n0
- 直接复合时，小注入的n型半导体的非平衡载流子寿命τ主要决定于（ ）。 A: 1 /rn0 B: 1 /rp0 C: 1 /r△n D: 1 /r△p
- 以下表述中，哪几种组合表示系统是稳定的（ ）。 A: p=0，N=0 B: p=0，N=-1 C: p=1，N=1 D: p=1，N=2
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体
- 1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的 A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏 C: 复合作用越强，少子寿命越短 D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关