关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 可以测量少子寿命的实验是 A: 霍尔效应 B: PN结的CV特性测试 C: 瞬态光电导测试 D: 四探针测试 可以测量少子寿命的实验是A: 霍尔效应B: PN结的CV特性测试C: 瞬态光电导测试D: 四探针测试 答案： 查看 举一反三 在半导体电学性能测试实验中，本实验测少子寿命的测量方法是（ ） 。 A: 高频光电导衰减法 B: 双电测四探针 C: 微波光电导衰减法 D: 离子注入 试述微波光电导法测试少子寿命的原理，并分析光强/重金属杂志对少子寿命的测量有何影响？ 半导体电学性能测试实验中，测少子寿命时，光源电压调到0V。 以下不属于少数载流子寿命测试的方法是： A: 直流光电导衰退法 B: 反射高能电子衍射 C: 少子脉冲漂移法 D: 表面光电压法 半导体电学性能测试实验中，测少子寿命时，光源电压调到0V。 A: 正确 B: 错误
