试述微波光电导法测试少子寿命的原理，并分析光强/重金属杂志对少子寿命的测量有何影响？
（1）原理：使用脉冲光源在样品中产生过剩载流子，样品的电导随之发生变化，而入射的微波的反射率是材料电导的函数，即反射微波的能量变化也反映了过剩载流子浓度的变化。当光照结束后，随着过剩载流子的逐渐衰减，微波的反射也越来越弱，通过分析反射微波曲线的指数因子，可求得测试样品中的有效少子寿命。（2）（光强）微波光电导法通过拟合指数衰减信号得到少子寿命的值。光强小时，处于低注入水平，一定的频率下，发射和反射微波信号差正比于非平衡载流子浓度Δn。信号呈指数衰减，即呈现出非平衡载流子衰减的规律。测量出来的少子寿命会偏小；若光强较强，样品注入电流过大可能会造成样品测量中并非小注入条件，从而使得测量的是多子的寿命，而非少子的寿命。而若电流过小，可能不易观测到少子从复合恢复到平衡状态的过程，而使测量遇到阻碍。（重金属杂质）当样品中含有重金属杂质时，重金属杂质会在样品中产生杂质能级，而成为少数载流子的复合中心，从而降低少子寿命。
举一反三
内容
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在半导体电学性能测试实验中，本实验测少子寿命的测量方法是（ ） 。 A: 高频光电导衰减法 B: 双电测四探针 C: 微波光电导衰减法 D: 离子注入
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如果只是大致了解多晶硅中总金属杂质的水平，可以通过少子寿命值高低来确定，少子寿命值低就说明其金属杂质含量高。
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中国大学MOOC: 少子寿命是衡量半导体质量好坏的重要指标，少子寿命越短，说明制备的半导体质量越差
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半导体电学性能测试实验中，测少子寿命时，光源电压调到0V。
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陷阱中心的存在会增加少子寿命