对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体,大注入时,过剩少子的寿命正比于()
A: 1/p0
B: 1/Δp
C: 1/ni
D: 1/n0
A: 1/p0
B: 1/Δp
C: 1/ni
D: 1/n0
举一反三
- 中国大学MOOC: 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）
- 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（） A: 1/n0 B: 1/△n C: 1/p0 D: 1/△p
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]1803b2f7a140c6c.png[/img] B: [img=34x25]1803b2f7a90f03e.png[/img] C: [img=44x25]1803b2f7b1e636d.png[/img] D: [img=34x25]1803b2f7baf71d5.png[/img]
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]18038d2ba4b8905.png[/img] B: [img=34x25]18038d2bacb12d6.png[/img] C: [img=44x25]18038d2bb69bca3.png[/img] D: [img=34x25]18038d2bbf1d094.png[/img]
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]18037128488cdd9.png[/img] B: [img=34x25]1803712850fac8d.png[/img] C: [img=44x25]1803712859def22.png[/img] D: [img=34x25]18037128627c580.png[/img]