对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在( )条件下半导体表面达到强反型。
A: 高频
B: 低频
C: [img=87x22]1802f7f8d3b1659.png[/img]
D: [img=129x22]1802f7f8dc20c60.png[/img]
A: 高频
B: 低频
C: [img=87x22]1802f7f8d3b1659.png[/img]
D: [img=129x22]1802f7f8dc20c60.png[/img]
举一反三
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]180341652f3677a.png[/img] B: [img=51x23]1803416536f69c8.png[/img] C: [img=51x23]180341653fcb78d.png[/img] D: [img=59x23]180341654824dee.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1802f267c95e38a.png[/img] B: [img=51x23]1802f267d1437fa.png[/img] C: [img=51x23]1802f267d9f8b18.png[/img] D: [img=59x23]1802f267e29b08e.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1802f26a33c524f.png[/img] B: [img=51x23]1802f26a3c15979.png[/img] C: [img=51x23]1802f26a4488d48.png[/img] D: [img=59x23]1802f26a4cd5885.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1802f26a82cc4cb.png[/img] B: [img=51x23]1802f26a8b38488.png[/img] C: [img=51x23]1802f26a93318a1.png[/img] D: [img=59x23]1802f26a9b0f2ea.png[/img]
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是？ A: [img=59x23]1803809cc649c6c.png[/img] B: [img=51x23]1803809cceedc8e.png[/img] C: [img=51x23]1803809cd76260f.png[/img] D: [img=59x23]1803809cdfe2084.png[/img]