光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ ），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同。
正性光刻
举一反三
内容
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简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？
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什么是负性光刻？正性光刻？
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光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
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三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
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光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深